一、平臺介紹

先進半導體研究院（寬禁帶半導體材料與器件平臺）聚焦寬禁帶半導體領域的國際前沿和重大科學問題，瞄準國家在信息、能源等領域的重大戰(zhàn)略需求，依托長三角區(qū)域領先的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢、浙江大學雄厚的科研實力和杭州科創(chuàng)中心創(chuàng)新的體制機制，打造一個國內(nèi)領先、國際先進的前沿技術創(chuàng)新研發(fā)平臺，推動產(chǎn)學研深度融合發(fā)展。研究院由杭州科創(chuàng)中心首席科學家楊德仁院士牽頭建設，學術委員會主任由鄭有炓院士擔任，院長由盛況教授擔任。研究院將集中建設超凈實驗室和寬禁帶半導體材料生長、芯片研制、封裝測試及應用的先進研發(fā)設施和大型儀器設備。

二、重點引進方向

（一）寬禁帶半導體材料（包括但不限于以下方向）

1、碳化硅單晶的生長

2、碳化硅薄膜的外延

3、碳化硅中的雜質(zhì)和缺陷

4、碳化硅的電化學

5、碳化硅的表面及界面

6、碳化硅的新穎原型器件

7、氮化鎵薄膜的外延

8、半導體金剛石單晶薄膜的生長

9、氧化鎵單晶的生長

10、氧化鎵中的雜質(zhì)和缺陷

11、寬禁帶半導體材料與二維材料的前沿交叉

12、寬禁帶半導體材料的制備和加工設備

（二）寬禁帶半導體器件（包括但不限于以下方向）

1、碳化硅功率器件

2、氮化鎵功率器件

3、氧化鎵功率器件

4、其他寬禁帶功率器件

5、單芯片集成技術

6、多芯片集成技術

7、芯片散熱技術

8、射頻功率芯片技術

9、能量收集技術

10、寬禁帶傳感技術芯片

11、其他寬禁帶技術等

（三）封裝測試和應用（包括但不限于以下方向）

1、功率器件的封裝

2、射頻器件的封裝

3、其他相關器件的封裝

4、模塊集成

5、測試技術和應用技術

三、青年人才卓越計劃

（一）申請條件

1、具有遠大學術志向、創(chuàng)新精神、較強科研能力和社會責任感；

2、已獲得博士學位，年齡原則上不超過35周歲，特別優(yōu)秀者年齡條件可適當放寬；

3、具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學等方向堅實的專業(yè)基礎和較深的學術造詣，對寬禁帶半導體材料與器件研究領域有足夠的學科背景支持和較好的研究積累與想法，從事過交叉學科研究者優(yōu)先考慮；

4、具備以獨立pi開展研究工作的能力；

5、有寬禁帶材料與器件領域院士或國際知名專家推薦者優(yōu)先考慮；

6、原則上要求至少有1站博士后或兩年工作經(jīng)歷。

（二）待遇及保障

1、提供有競爭力的薪酬保障（一人一議），符合條件者可同步享受杭州市和蕭山區(qū)相應的人才政策（詳細內(nèi)容見文末）；

2、為入選者及其團隊成員提供人才公寓，符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策；

3、提供首期（3年）300-500萬元的科研資助（可持續(xù)滾動資助）；

4、提供100-150㎡辦公實驗空間；

5、提供"專人一站式"服務，共享科研平臺大型儀器設備；

6、入選者中科研業(yè)績突出且符合浙江大學人才標準的，可推薦聘至浙江大學；

7、符合杭州市有關規(guī)定的，協(xié)助解決杭州市集體戶口。

四、博士后研究人員

（一）申請條件

1、近三年內(nèi)獲得博士學位，品學兼優(yōu)，身心健康，年齡原則上不超過35周歲；

2、保證全職從事博士后研究工作；

3、具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學等學科背景和科研經(jīng)驗，從事過交叉學科研究者優(yōu)先考慮；

4、具有良好的團隊合作意識和較強的獨立工作能力；

5、具有良好的英語聽說讀寫能力；

6、近三年內(nèi)以第一作者發(fā)表1篇以上有一定影響力的研究論文，研究成果突出者優(yōu)先考慮。

（二）待遇及保障

1、原則上稅前年薪不低于40萬元（含地方政府人才補助），具體面議；

2、出站后留在科創(chuàng)中心工作的，可享受杭州市、蕭山區(qū)政府相應人才政策（詳細內(nèi)容見文末）；

3、對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，杭州市、蕭山區(qū)財政分別給予相應配套資助；

4、提供蕭山區(qū)人才公寓或科創(chuàng)中心公寓；

5、提供一流的實驗與科學研究條件；

6、參與科創(chuàng)中心重大課題研究并取得顯著成績的，可獲得額外資助或津貼；

7、在站期間，符合條件者可申報科創(chuàng)中心相關系列高級專業(yè)技術職務；

8、工作期間表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績突出者，如符合相應要求，可優(yōu)先推薦申請浙江大學教師崗位或科創(chuàng)中心技術研發(fā)崗位；

9、符合杭州市有關規(guī)定的，協(xié)助解決杭州市集體戶口。

五、技術開發(fā)專家

（一）申請條件

1、已獲得博士學位，品學兼優(yōu)，身心健康；

2、具有物理、材料、微電子、電氣工程、化學等學科背景和科研經(jīng)驗，從事過交叉學科研究者優(yōu)先考慮；

3、具有良好的團隊合作意識和較強的獨立工作能力；

4、具有良好的英語聽說讀寫能力；

5、近三年內(nèi)以第一作者發(fā)表1篇以上有一定影響力的研究論文，研究成果突出者優(yōu)先考慮。

（二）待遇及保障

1、提供有競爭力的市場化薪酬，符合條件者可同步享受杭州市和蕭山區(qū)相應的人才政策；

2、提供蕭山區(qū)人才公寓或科創(chuàng)中心公寓；

3、提供一流的實驗與科學研究條件；

4、符合杭州市有關規(guī)定的，協(xié)助解決杭州市集體戶口。

六、運營工程師

主要負責平臺外延材料生長、功率芯片制備及封裝測試等全產(chǎn)業(yè)鏈設備的運維、管理及對外服務。

【崗位職責】：

1、設備安裝、調(diào)試與驗收，工藝計劃與執(zhí)行；

2、優(yōu)化工藝條件，確保工藝穩(wěn)定性；

3、制定備件申購計劃，跟蹤采購進度，易耗、易損件庫存管理；

4、設備sop文件體系擬定、完善，制定設備操作流程、日常巡檢、維修、日常保養(yǎng)計劃，實施設備預知性維修，改善工作質(zhì)量，迅速解決機臺出現(xiàn)的問題，保持設備性能狀態(tài)，提高設備uptime；

5、設備運行管理及對外服務；

6、團隊協(xié)調(diào)及工藝協(xié)同。

【任職要求】：

1、大學本科及以上學歷；

2、半導體、機械、機電、自動化、電氣工程、材料、化學、電子信息等理工科專業(yè)；

3、三年以上材料、半導體晶圓制造或封測領域工作經(jīng)驗，有建廠或裝機經(jīng)驗者優(yōu)先考慮；

4、具有良好的英文書寫及溝通能力。

七、申請方式

1、申請青年人才者填寫附件《青年人才卓越計劃申報表》；

2、申請博士后人員請?zhí)顚懜郊墩憬髮W杭州國際科創(chuàng)中心博士后研究人員崗位申請表》（加附件）；

3、表明研究能力和學術水平的成果（如：獲獎情況、鑒定、項目、學術論文等）及佐證材料；

4、博士學位論文；

5、個人簡歷及其他相關證明材料。

申請人將以上材料電子版發(fā)送至科創(chuàng)中心指定郵箱：，郵件主題以"應聘平臺+應聘崗位+姓名+高校人才網(wǎng)"命名。

八、聯(lián)系方式

聯(lián)系人：楊老師、劉老師

聯(lián)系電話：0571-82359099、82990656

地址：浙江省杭州市蕭山區(qū)建設三路733號

附件1：青年人才卓越計劃申報表

附件2：